PMPB12UN,115
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Numer części
PMPB12UN,115
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-UDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
6-DFN2020MD (2x2)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
886pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35305 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMPB12UN,115
PMPB12UN,115 Części elektroniczne
PMPB12UN,115 Obroty
PMPB12UN,115 Dostawca
PMPB12UN,115 Dystrybutor
PMPB12UN,115 Tabela danych
PMPB12UN,115 Zdjęcia
PMPB12UN,115 Cena
PMPB12UN,115 Oferta
PMPB12UN,115 Najniższa cena
PMPB12UN,115 Szukaj
PMPB12UN,115 Nabywczy
PMPB12UN,115 Chip