PSMN8R2-80YS,115
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
Numer części
PSMN8R2-80YS,115
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SC-100, SOT-669
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK56, Power-SO8
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
55nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3640pF @ 40V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 44024 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PSMN8R2-80YS,115
PSMN8R2-80YS,115 Części elektroniczne
PSMN8R2-80YS,115 Obroty
PSMN8R2-80YS,115 Dostawca
PSMN8R2-80YS,115 Dystrybutor
PSMN8R2-80YS,115 Tabela danych
PSMN8R2-80YS,115 Zdjęcia
PSMN8R2-80YS,115 Cena
PSMN8R2-80YS,115 Oferta
PSMN8R2-80YS,115 Najniższa cena
PSMN8R2-80YS,115 Szukaj
PSMN8R2-80YS,115 Nabywczy
PSMN8R2-80YS,115 Chip