Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V D2PAK
Numer części
PSMN4R8-100BSEJ
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
405W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
278nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14400pF @ 50V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23322 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PSMN4R8-100BSEJ
PSMN4R8-100BSEJ Części elektroniczne
PSMN4R8-100BSEJ Obroty
PSMN4R8-100BSEJ Dostawca
PSMN4R8-100BSEJ Dystrybutor
PSMN4R8-100BSEJ Tabela danych
PSMN4R8-100BSEJ Zdjęcia
PSMN4R8-100BSEJ Cena
PSMN4R8-100BSEJ Oferta
PSMN4R8-100BSEJ Najniższa cena
PSMN4R8-100BSEJ Szukaj
PSMN4R8-100BSEJ Nabywczy
PSMN4R8-100BSEJ Chip