Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
PSMN3R3-80BS,118
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Numer części
PSMN3R3-80BS,118
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
306W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
111nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8161pF @ 40V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do chen_hx1688@hotmail.com, odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 51428 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PSMN3R3-80BS,118
PSMN3R3-80BS,118 Części elektroniczne
PSMN3R3-80BS,118 Obroty
PSMN3R3-80BS,118 Dostawca
PSMN3R3-80BS,118 Dystrybutor
PSMN3R3-80BS,118 Tabela danych
PSMN3R3-80BS,118 Zdjęcia
PSMN3R3-80BS,118 Cena
PSMN3R3-80BS,118 Oferta
PSMN3R3-80BS,118 Najniższa cena
PSMN3R3-80BS,118 Szukaj
PSMN3R3-80BS,118 Nabywczy
PSMN3R3-80BS,118 Chip