Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
PSMN1R5-30YL,115
MOSFET N-CH 30V LFPAK
Numer części
PSMN1R5-30YL,115
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SC-100, SOT-669
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK56, Power-SO8
Rozpraszanie mocy (maks.)
109W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
77.9nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5057pF @ 12V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 29647 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PSMN1R5-30YL,115
PSMN1R5-30YL,115 Części elektroniczne
PSMN1R5-30YL,115 Obroty
PSMN1R5-30YL,115 Dostawca
PSMN1R5-30YL,115 Dystrybutor
PSMN1R5-30YL,115 Tabela danych
PSMN1R5-30YL,115 Zdjęcia
PSMN1R5-30YL,115 Cena
PSMN1R5-30YL,115 Oferta
PSMN1R5-30YL,115 Najniższa cena
PSMN1R5-30YL,115 Szukaj
PSMN1R5-30YL,115 Nabywczy
PSMN1R5-30YL,115 Chip