Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
PSMN1R1-30EL,127
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Numer części
PSMN1R1-30EL,127
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
338W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
243nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14850pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 14579 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PSMN1R1-30EL,127
PSMN1R1-30EL,127 Części elektroniczne
PSMN1R1-30EL,127 Obroty
PSMN1R1-30EL,127 Dostawca
PSMN1R1-30EL,127 Dystrybutor
PSMN1R1-30EL,127 Tabela danych
PSMN1R1-30EL,127 Zdjęcia
PSMN1R1-30EL,127 Cena
PSMN1R1-30EL,127 Oferta
PSMN1R1-30EL,127 Najniższa cena
PSMN1R1-30EL,127 Szukaj
PSMN1R1-30EL,127 Nabywczy
PSMN1R1-30EL,127 Chip