PMZB950UPEYL
MOSFET P-CH 20V XQFN3
Numer części
PMZB950UPEYL
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
3-XFDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN1006B-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
43pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.2V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 52646 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMZB950UPEYL
PMZB950UPEYL Części elektroniczne
PMZB950UPEYL Obroty
PMZB950UPEYL Dostawca
PMZB950UPEYL Dystrybutor
PMZB950UPEYL Tabela danych
PMZB950UPEYL Zdjęcia
PMZB950UPEYL Cena
PMZB950UPEYL Oferta
PMZB950UPEYL Najniższa cena
PMZB950UPEYL Szukaj
PMZB950UPEYL Nabywczy
PMZB950UPEYL Chip