Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
PMXB75UPEZ
MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G
Numer części
PMXB75UPEZ
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
3-XDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN1010D-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
608pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.2V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40071 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMXB75UPEZ
PMXB75UPEZ Części elektroniczne
PMXB75UPEZ Obroty
PMXB75UPEZ Dostawca
PMXB75UPEZ Dystrybutor
PMXB75UPEZ Tabela danych
PMXB75UPEZ Zdjęcia
PMXB75UPEZ Cena
PMXB75UPEZ Oferta
PMXB75UPEZ Najniższa cena
PMXB75UPEZ Szukaj
PMXB75UPEZ Nabywczy
PMXB75UPEZ Chip