PMV65ENEAR
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
Numer części
PMV65ENEAR
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236AB (SOT23)
Rozpraszanie mocy (maks.)
490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
160pF @ 20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17262 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMV65ENEAR
PMV65ENEAR Części elektroniczne
PMV65ENEAR Obroty
PMV65ENEAR Dostawca
PMV65ENEAR Dystrybutor
PMV65ENEAR Tabela danych
PMV65ENEAR Zdjęcia
PMV65ENEAR Cena
PMV65ENEAR Oferta
PMV65ENEAR Najniższa cena
PMV65ENEAR Szukaj
PMV65ENEAR Nabywczy
PMV65ENEAR Chip