PMV280ENEAR
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Numer części
PMV280ENEAR
Producent/marka
Seria
TrenchMOS™
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
580mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
190pF @ 50V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42359 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMV280ENEAR
PMV280ENEAR Części elektroniczne
PMV280ENEAR Obroty
PMV280ENEAR Dostawca
PMV280ENEAR Dystrybutor
PMV280ENEAR Tabela danych
PMV280ENEAR Zdjęcia
PMV280ENEAR Cena
PMV280ENEAR Oferta
PMV280ENEAR Najniższa cena
PMV280ENEAR Szukaj
PMV280ENEAR Nabywczy
PMV280ENEAR Chip