PMV230ENEAR
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Numer części
PMV230ENEAR
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236AB (SOT23)
Rozpraszanie mocy (maks.)
480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
222 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
177pF @ 30V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 46761 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMV230ENEAR
PMV230ENEAR Części elektroniczne
PMV230ENEAR Obroty
PMV230ENEAR Dostawca
PMV230ENEAR Dystrybutor
PMV230ENEAR Tabela danych
PMV230ENEAR Zdjęcia
PMV230ENEAR Cena
PMV230ENEAR Oferta
PMV230ENEAR Najniższa cena
PMV230ENEAR Szukaj
PMV230ENEAR Nabywczy
PMV230ENEAR Chip