PMPB85ENEAX
MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220
Numer części
PMPB85ENEAX
Producent/marka
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-UDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN2020MD-6
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.2nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
305pF @ 30V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 7862 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMPB85ENEAX
PMPB85ENEAX Części elektroniczne
PMPB85ENEAX Obroty
PMPB85ENEAX Dostawca
PMPB85ENEAX Dystrybutor
PMPB85ENEAX Tabela danych
PMPB85ENEAX Zdjęcia
PMPB85ENEAX Cena
PMPB85ENEAX Oferta
PMPB85ENEAX Najniższa cena
PMPB85ENEAX Szukaj
PMPB85ENEAX Nabywczy
PMPB85ENEAX Chip