PMPB20XNEAZ
MOSFET N-CH 20V SOT1220
Numer części
PMPB20XNEAZ
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101
Stan części
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-UDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN2020MD-6
Rozpraszanie mocy (maks.)
460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
930pF @ 10V
Vgs (maks.)
±12V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 38260 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMPB20XNEAZ
PMPB20XNEAZ Części elektroniczne
PMPB20XNEAZ Obroty
PMPB20XNEAZ Dostawca
PMPB20XNEAZ Dystrybutor
PMPB20XNEAZ Tabela danych
PMPB20XNEAZ Zdjęcia
PMPB20XNEAZ Cena
PMPB20XNEAZ Oferta
PMPB20XNEAZ Najniższa cena
PMPB20XNEAZ Szukaj
PMPB20XNEAZ Nabywczy
PMPB20XNEAZ Chip