Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
BUK9Y4R8-60E,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
Numer części
BUK9Y4R8-60E,115
Producent/marka
Seria
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SC-100, SOT-669
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK56, Power-SO8
Rozpraszanie mocy (maks.)
238W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
50nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7853pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
±10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40738 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BUK9Y4R8-60E,115
BUK9Y4R8-60E,115 Części elektroniczne
BUK9Y4R8-60E,115 Obroty
BUK9Y4R8-60E,115 Dostawca
BUK9Y4R8-60E,115 Dystrybutor
BUK9Y4R8-60E,115 Tabela danych
BUK9Y4R8-60E,115 Zdjęcia
BUK9Y4R8-60E,115 Cena
BUK9Y4R8-60E,115 Oferta
BUK9Y4R8-60E,115 Najniższa cena
BUK9Y4R8-60E,115 Szukaj
BUK9Y4R8-60E,115 Nabywczy
BUK9Y4R8-60E,115 Chip