SI1012-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG
Numer części
SI1012-TP
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-523
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-523
Rozpraszanie mocy (maks.)
150mW (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 500mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
750nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
100pF @ 16V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17391 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe SI1012-TP
SI1012-TP Części elektroniczne
SI1012-TP Obroty
SI1012-TP Dostawca
SI1012-TP Dystrybutor
SI1012-TP Tabela danych
SI1012-TP Zdjęcia
SI1012-TP Cena
SI1012-TP Oferta
SI1012-TP Najniższa cena
SI1012-TP Szukaj
SI1012-TP Nabywczy
SI1012-TP Chip