Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFH12N100F
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Numer części
IXFH12N100F
Producent/marka
Seria
HiPerRF™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-3P-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
77nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2700pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 36545 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFH12N100F
IXFH12N100F Części elektroniczne
IXFH12N100F Obroty
IXFH12N100F Dostawca
IXFH12N100F Dystrybutor
IXFH12N100F Tabela danych
IXFH12N100F Zdjęcia
IXFH12N100F Cena
IXFH12N100F Oferta
IXFH12N100F Najniższa cena
IXFH12N100F Szukaj
IXFH12N100F Nabywczy
IXFH12N100F Chip