Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTY8N70X2
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Numer części
IXTY8N70X2
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
800pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35047 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTY8N70X2
IXTY8N70X2 Części elektroniczne
IXTY8N70X2 Obroty
IXTY8N70X2 Dostawca
IXTY8N70X2 Dystrybutor
IXTY8N70X2 Tabela danych
IXTY8N70X2 Zdjęcia
IXTY8N70X2 Cena
IXTY8N70X2 Oferta
IXTY8N70X2 Najniższa cena
IXTY8N70X2 Szukaj
IXTY8N70X2 Nabywczy
IXTY8N70X2 Chip