Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTY3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
Numer części
IXTY3N60P
Producent/marka
Seria
PolarHV™
Stan części
Last Time Buy
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252, (D-Pak)
Rozpraszanie mocy (maks.)
70W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
411pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 50402 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTY3N60P
IXTY3N60P Części elektroniczne
IXTY3N60P Obroty
IXTY3N60P Dostawca
IXTY3N60P Dystrybutor
IXTY3N60P Tabela danych
IXTY3N60P Zdjęcia
IXTY3N60P Cena
IXTY3N60P Oferta
IXTY3N60P Najniższa cena
IXTY3N60P Szukaj
IXTY3N60P Nabywczy
IXTY3N60P Chip