Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTY08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
Numer części
IXTY08N50D2
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252, (D-Pak)
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
Depletion Mode
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.7nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
312pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
-
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 5136 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTY08N50D2
IXTY08N50D2 Części elektroniczne
IXTY08N50D2 Obroty
IXTY08N50D2 Dostawca
IXTY08N50D2 Dystrybutor
IXTY08N50D2 Tabela danych
IXTY08N50D2 Zdjęcia
IXTY08N50D2 Cena
IXTY08N50D2 Oferta
IXTY08N50D2 Najniższa cena
IXTY08N50D2 Szukaj
IXTY08N50D2 Nabywczy
IXTY08N50D2 Chip