Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTT34N65X2HV
MOSFET N-CH
Numer części
IXTT34N65X2HV
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
-
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268HV
Rozpraszanie mocy (maks.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
96 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
54nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 30150 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTT34N65X2HV
IXTT34N65X2HV Części elektroniczne
IXTT34N65X2HV Obroty
IXTT34N65X2HV Dostawca
IXTT34N65X2HV Dystrybutor
IXTT34N65X2HV Tabela danych
IXTT34N65X2HV Zdjęcia
IXTT34N65X2HV Cena
IXTT34N65X2HV Oferta
IXTT34N65X2HV Najniższa cena
IXTT34N65X2HV Szukaj
IXTT34N65X2HV Nabywczy
IXTT34N65X2HV Chip