Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTT30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
Numer części
IXTT30N50L2
Producent/marka
Seria
Linear L2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268
Rozpraszanie mocy (maks.)
400W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
240nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8100pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16269 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTT30N50L2
IXTT30N50L2 Części elektroniczne
IXTT30N50L2 Obroty
IXTT30N50L2 Dostawca
IXTT30N50L2 Dystrybutor
IXTT30N50L2 Tabela danych
IXTT30N50L2 Zdjęcia
IXTT30N50L2 Cena
IXTT30N50L2 Oferta
IXTT30N50L2 Najniższa cena
IXTT30N50L2 Szukaj
IXTT30N50L2 Nabywczy
IXTT30N50L2 Chip