Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTQ60N20L2
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
Numer części
IXTQ60N20L2
Producent/marka
Seria
Linear L2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Rozpraszanie mocy (maks.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
255nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10500pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 50902 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTQ60N20L2
IXTQ60N20L2 Części elektroniczne
IXTQ60N20L2 Obroty
IXTQ60N20L2 Dostawca
IXTQ60N20L2 Dystrybutor
IXTQ60N20L2 Tabela danych
IXTQ60N20L2 Zdjęcia
IXTQ60N20L2 Cena
IXTQ60N20L2 Oferta
IXTQ60N20L2 Najniższa cena
IXTQ60N20L2 Szukaj
IXTQ60N20L2 Nabywczy
IXTQ60N20L2 Chip