Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTP8N65X2M
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
Numer części
IXTP8N65X2M
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Rozpraszanie mocy (maks.)
32W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 38706 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTP8N65X2M
IXTP8N65X2M Części elektroniczne
IXTP8N65X2M Obroty
IXTP8N65X2M Dostawca
IXTP8N65X2M Dystrybutor
IXTP8N65X2M Tabela danych
IXTP8N65X2M Zdjęcia
IXTP8N65X2M Cena
IXTP8N65X2M Oferta
IXTP8N65X2M Najniższa cena
IXTP8N65X2M Szukaj
IXTP8N65X2M Nabywczy
IXTP8N65X2M Chip