Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTP8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
Numer części
IXTP8N65X2
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 32502 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTP8N65X2
IXTP8N65X2 Części elektroniczne
IXTP8N65X2 Obroty
IXTP8N65X2 Dostawca
IXTP8N65X2 Dystrybutor
IXTP8N65X2 Tabela danych
IXTP8N65X2 Zdjęcia
IXTP8N65X2 Cena
IXTP8N65X2 Oferta
IXTP8N65X2 Najniższa cena
IXTP8N65X2 Szukaj
IXTP8N65X2 Nabywczy
IXTP8N65X2 Chip