Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTP24N65X2M
MOSFET N-CH
Numer części
IXTP24N65X2M
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
-
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220 Isolated Tab
Rozpraszanie mocy (maks.)
37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2060pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 49072 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTP24N65X2M
IXTP24N65X2M Części elektroniczne
IXTP24N65X2M Obroty
IXTP24N65X2M Dostawca
IXTP24N65X2M Dystrybutor
IXTP24N65X2M Tabela danych
IXTP24N65X2M Zdjęcia
IXTP24N65X2M Cena
IXTP24N65X2M Oferta
IXTP24N65X2M Najniższa cena
IXTP24N65X2M Szukaj
IXTP24N65X2M Nabywczy
IXTP24N65X2M Chip