Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTP1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Numer części
IXTP1R6N100D2
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
Depletion Mode
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
27nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
645pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16707 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2 Części elektroniczne
IXTP1R6N100D2 Obroty
IXTP1R6N100D2 Dostawca
IXTP1R6N100D2 Dystrybutor
IXTP1R6N100D2 Tabela danych
IXTP1R6N100D2 Zdjęcia
IXTP1R6N100D2 Cena
IXTP1R6N100D2 Oferta
IXTP1R6N100D2 Najniższa cena
IXTP1R6N100D2 Szukaj
IXTP1R6N100D2 Nabywczy
IXTP1R6N100D2 Chip