Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTP110N12T2
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Numer części
IXTP110N12T2
Producent/marka
Seria
TrenchT2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
517W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
120V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
120nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6570pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33611 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTP110N12T2
IXTP110N12T2 Części elektroniczne
IXTP110N12T2 Obroty
IXTP110N12T2 Dostawca
IXTP110N12T2 Dystrybutor
IXTP110N12T2 Tabela danych
IXTP110N12T2 Zdjęcia
IXTP110N12T2 Cena
IXTP110N12T2 Oferta
IXTP110N12T2 Najniższa cena
IXTP110N12T2 Szukaj
IXTP110N12T2 Nabywczy
IXTP110N12T2 Chip