Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTA8N50P
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
Numer części
IXTA8N50P
Producent/marka
Seria
PolarHV™
Stan części
Last Time Buy
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXTA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1050pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 43986 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTA8N50P
IXTA8N50P Części elektroniczne
IXTA8N50P Obroty
IXTA8N50P Dostawca
IXTA8N50P Dystrybutor
IXTA8N50P Tabela danych
IXTA8N50P Zdjęcia
IXTA8N50P Cena
IXTA8N50P Oferta
IXTA8N50P Najniższa cena
IXTA8N50P Szukaj
IXTA8N50P Nabywczy
IXTA8N50P Chip