Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTA80N10T
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Numer części
IXTA80N10T
Producent/marka
Seria
TrenchMV™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXTA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3040pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40414 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTA80N10T
IXTA80N10T Części elektroniczne
IXTA80N10T Obroty
IXTA80N10T Dostawca
IXTA80N10T Dystrybutor
IXTA80N10T Tabela danych
IXTA80N10T Zdjęcia
IXTA80N10T Cena
IXTA80N10T Oferta
IXTA80N10T Najniższa cena
IXTA80N10T Szukaj
IXTA80N10T Nabywczy
IXTA80N10T Chip