Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTA76P10T
MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
Numer części
IXTA76P10T
Producent/marka
Seria
TrenchP™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXTA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
298W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
197nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13700pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do chen_hx1688@hotmail.com, odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9884 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTA76P10T
IXTA76P10T Części elektroniczne
IXTA76P10T Obroty
IXTA76P10T Dostawca
IXTA76P10T Dystrybutor
IXTA76P10T Tabela danych
IXTA76P10T Zdjęcia
IXTA76P10T Cena
IXTA76P10T Oferta
IXTA76P10T Najniższa cena
IXTA76P10T Szukaj
IXTA76P10T Nabywczy
IXTA76P10T Chip