Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTA52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO-263
Numer części
IXTA52P10P
Producent/marka
Seria
PolarP™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXTA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2845pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 34603 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTA52P10P
IXTA52P10P Części elektroniczne
IXTA52P10P Obroty
IXTA52P10P Dostawca
IXTA52P10P Dystrybutor
IXTA52P10P Tabela danych
IXTA52P10P Zdjęcia
IXTA52P10P Cena
IXTA52P10P Oferta
IXTA52P10P Najniższa cena
IXTA52P10P Szukaj
IXTA52P10P Nabywczy
IXTA52P10P Chip