IXTA3N120TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Numer części
IXTA3N120TRL
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXTA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42993 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTA3N120TRL
IXTA3N120TRL Części elektroniczne
IXTA3N120TRL Obroty
IXTA3N120TRL Dostawca
IXTA3N120TRL Dystrybutor
IXTA3N120TRL Tabela danych
IXTA3N120TRL Zdjęcia
IXTA3N120TRL Cena
IXTA3N120TRL Oferta
IXTA3N120TRL Najniższa cena
IXTA3N120TRL Szukaj
IXTA3N120TRL Nabywczy
IXTA3N120TRL Chip