Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTA3N100D2HV
MOSFET N-CH
Numer części
IXTA3N100D2HV
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
-
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263HV
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
Depletion Mode
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1020pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
0V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42704 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTA3N100D2HV
IXTA3N100D2HV Części elektroniczne
IXTA3N100D2HV Obroty
IXTA3N100D2HV Dostawca
IXTA3N100D2HV Dystrybutor
IXTA3N100D2HV Tabela danych
IXTA3N100D2HV Zdjęcia
IXTA3N100D2HV Cena
IXTA3N100D2HV Oferta
IXTA3N100D2HV Najniższa cena
IXTA3N100D2HV Szukaj
IXTA3N100D2HV Nabywczy
IXTA3N100D2HV Chip