Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTA3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
Numer części
IXTA3N100D2
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXTA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
Depletion Mode
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1020pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
-
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 22366 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTA3N100D2
IXTA3N100D2 Części elektroniczne
IXTA3N100D2 Obroty
IXTA3N100D2 Dostawca
IXTA3N100D2 Dystrybutor
IXTA3N100D2 Tabela danych
IXTA3N100D2 Zdjęcia
IXTA3N100D2 Cena
IXTA3N100D2 Oferta
IXTA3N100D2 Najniższa cena
IXTA3N100D2 Szukaj
IXTA3N100D2 Nabywczy
IXTA3N100D2 Chip