Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTA180N10T7
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
Numer części
IXTA180N10T7
Producent/marka
Seria
TrenchMV™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263-7 (IXTA..7)
Rozpraszanie mocy (maks.)
480W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
151nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6900pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16622 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTA180N10T7
IXTA180N10T7 Części elektroniczne
IXTA180N10T7 Obroty
IXTA180N10T7 Dostawca
IXTA180N10T7 Dystrybutor
IXTA180N10T7 Tabela danych
IXTA180N10T7 Zdjęcia
IXTA180N10T7 Cena
IXTA180N10T7 Oferta
IXTA180N10T7 Najniższa cena
IXTA180N10T7 Szukaj
IXTA180N10T7 Nabywczy
IXTA180N10T7 Chip