Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTA160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO-263
Numer części
IXTA160N10T
Producent/marka
Seria
TrenchMV™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (IXTA)
Rozpraszanie mocy (maks.)
430W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
132nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6600pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 51429 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTA160N10T
IXTA160N10T Części elektroniczne
IXTA160N10T Obroty
IXTA160N10T Dostawca
IXTA160N10T Dystrybutor
IXTA160N10T Tabela danych
IXTA160N10T Zdjęcia
IXTA160N10T Cena
IXTA160N10T Oferta
IXTA160N10T Najniższa cena
IXTA160N10T Szukaj
IXTA160N10T Nabywczy
IXTA160N10T Chip