Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTA12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
Numer części
IXTA12N65X2
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263AA
Rozpraszanie mocy (maks.)
180W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 31667 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTA12N65X2
IXTA12N65X2 Części elektroniczne
IXTA12N65X2 Obroty
IXTA12N65X2 Dostawca
IXTA12N65X2 Dystrybutor
IXTA12N65X2 Tabela danych
IXTA12N65X2 Zdjęcia
IXTA12N65X2 Cena
IXTA12N65X2 Oferta
IXTA12N65X2 Najniższa cena
IXTA12N65X2 Szukaj
IXTA12N65X2 Nabywczy
IXTA12N65X2 Chip