Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFX60N55Q2
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
Numer części
IXFX60N55Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS247™-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
735W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
550V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
200nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6900pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9606 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFX60N55Q2
IXFX60N55Q2 Części elektroniczne
IXFX60N55Q2 Obroty
IXFX60N55Q2 Dostawca
IXFX60N55Q2 Dystrybutor
IXFX60N55Q2 Tabela danych
IXFX60N55Q2 Zdjęcia
IXFX60N55Q2 Cena
IXFX60N55Q2 Oferta
IXFX60N55Q2 Najniższa cena
IXFX60N55Q2 Szukaj
IXFX60N55Q2 Nabywczy
IXFX60N55Q2 Chip