Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFX52N60Q2

IXFX52N60Q2

MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
Numer części
IXFX52N60Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS247™-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
735W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
198nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23352 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFX52N60Q2
IXFX52N60Q2 Części elektroniczne
IXFX52N60Q2 Obroty
IXFX52N60Q2 Dostawca
IXFX52N60Q2 Dystrybutor
IXFX52N60Q2 Tabela danych
IXFX52N60Q2 Zdjęcia
IXFX52N60Q2 Cena
IXFX52N60Q2 Oferta
IXFX52N60Q2 Najniższa cena
IXFX52N60Q2 Szukaj
IXFX52N60Q2 Nabywczy
IXFX52N60Q2 Chip