Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFX38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
Numer części
IXFX38N80Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS247™-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
735W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
190nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8340pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 34132 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFX38N80Q2
IXFX38N80Q2 Części elektroniczne
IXFX38N80Q2 Obroty
IXFX38N80Q2 Dostawca
IXFX38N80Q2 Dystrybutor
IXFX38N80Q2 Tabela danych
IXFX38N80Q2 Zdjęcia
IXFX38N80Q2 Cena
IXFX38N80Q2 Oferta
IXFX38N80Q2 Najniższa cena
IXFX38N80Q2 Szukaj
IXFX38N80Q2 Nabywczy
IXFX38N80Q2 Chip