Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFX32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
Numer części
IXFX32N100Q3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS247™-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
1250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
195nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9940pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23469 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFX32N100Q3
IXFX32N100Q3 Części elektroniczne
IXFX32N100Q3 Obroty
IXFX32N100Q3 Dostawca
IXFX32N100Q3 Dystrybutor
IXFX32N100Q3 Tabela danych
IXFX32N100Q3 Zdjęcia
IXFX32N100Q3 Cena
IXFX32N100Q3 Oferta
IXFX32N100Q3 Najniższa cena
IXFX32N100Q3 Szukaj
IXFX32N100Q3 Nabywczy
IXFX32N100Q3 Chip