Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFX320N17T2

IXFX320N17T2

MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247
Numer części
IXFX320N17T2
Producent/marka
Seria
GigaMOS™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS247™-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
1670W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
170V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
640nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
45000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 52615 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFX320N17T2
IXFX320N17T2 Części elektroniczne
IXFX320N17T2 Obroty
IXFX320N17T2 Dostawca
IXFX320N17T2 Dystrybutor
IXFX320N17T2 Tabela danych
IXFX320N17T2 Zdjęcia
IXFX320N17T2 Cena
IXFX320N17T2 Oferta
IXFX320N17T2 Najniższa cena
IXFX320N17T2 Szukaj
IXFX320N17T2 Nabywczy
IXFX320N17T2 Chip