Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFX30N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
Numer części
IXFX30N100Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS247™-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
735W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
186nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8200pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53905 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFX30N100Q2
IXFX30N100Q2 Części elektroniczne
IXFX30N100Q2 Obroty
IXFX30N100Q2 Dostawca
IXFX30N100Q2 Dystrybutor
IXFX30N100Q2 Tabela danych
IXFX30N100Q2 Zdjęcia
IXFX30N100Q2 Cena
IXFX30N100Q2 Oferta
IXFX30N100Q2 Najniższa cena
IXFX30N100Q2 Szukaj
IXFX30N100Q2 Nabywczy
IXFX30N100Q2 Chip