Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Numer części
IXFT88N30P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarP2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268
Rozpraszanie mocy (maks.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
180nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6300pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 8984 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFT88N30P
IXFT88N30P Części elektroniczne
IXFT88N30P Obroty
IXFT88N30P Dostawca
IXFT88N30P Dystrybutor
IXFT88N30P Tabela danych
IXFT88N30P Zdjęcia
IXFT88N30P Cena
IXFT88N30P Oferta
IXFT88N30P Najniższa cena
IXFT88N30P Szukaj
IXFT88N30P Nabywczy
IXFT88N30P Chip