Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFT70N30Q3
MOSFET N-CH 300V 70A TO-268
Numer części
IXFT70N30Q3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268
Rozpraszanie mocy (maks.)
830W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
98nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4735pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21972 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFT70N30Q3
IXFT70N30Q3 Części elektroniczne
IXFT70N30Q3 Obroty
IXFT70N30Q3 Dostawca
IXFT70N30Q3 Dystrybutor
IXFT70N30Q3 Tabela danych
IXFT70N30Q3 Zdjęcia
IXFT70N30Q3 Cena
IXFT70N30Q3 Oferta
IXFT70N30Q3 Najniższa cena
IXFT70N30Q3 Szukaj
IXFT70N30Q3 Nabywczy
IXFT70N30Q3 Chip