Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFT69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
Numer części
IXFT69N30P
Producent/marka
Seria
PolarHT™ HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268
Rozpraszanie mocy (maks.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
180nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4960pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 50910 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFT69N30P
IXFT69N30P Części elektroniczne
IXFT69N30P Obroty
IXFT69N30P Dostawca
IXFT69N30P Dystrybutor
IXFT69N30P Tabela danych
IXFT69N30P Zdjęcia
IXFT69N30P Cena
IXFT69N30P Oferta
IXFT69N30P Najniższa cena
IXFT69N30P Szukaj
IXFT69N30P Nabywczy
IXFT69N30P Chip