Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFT40N30Q
MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
Numer części
IXFT40N30Q
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Last Time Buy
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
140nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3100pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do chen_hx1688@hotmail.com, odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 11710 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFT40N30Q
IXFT40N30Q Części elektroniczne
IXFT40N30Q Obroty
IXFT40N30Q Dostawca
IXFT40N30Q Dystrybutor
IXFT40N30Q Tabela danych
IXFT40N30Q Zdjęcia
IXFT40N30Q Cena
IXFT40N30Q Oferta
IXFT40N30Q Najniższa cena
IXFT40N30Q Szukaj
IXFT40N30Q Nabywczy
IXFT40N30Q Chip