Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFT30N50Q3
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
Numer części
IXFT30N50Q3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268
Rozpraszanie mocy (maks.)
690W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
62nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3200pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 19784 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFT30N50Q3
IXFT30N50Q3 Części elektroniczne
IXFT30N50Q3 Obroty
IXFT30N50Q3 Dostawca
IXFT30N50Q3 Dystrybutor
IXFT30N50Q3 Tabela danych
IXFT30N50Q3 Zdjęcia
IXFT30N50Q3 Cena
IXFT30N50Q3 Oferta
IXFT30N50Q3 Najniższa cena
IXFT30N50Q3 Szukaj
IXFT30N50Q3 Nabywczy
IXFT30N50Q3 Chip