Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFT30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
Numer części
IXFT30N50P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarHT™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268
Rozpraszanie mocy (maks.)
460W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
70nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4150pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 19632 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFT30N50P
IXFT30N50P Części elektroniczne
IXFT30N50P Obroty
IXFT30N50P Dostawca
IXFT30N50P Dystrybutor
IXFT30N50P Tabela danych
IXFT30N50P Zdjęcia
IXFT30N50P Cena
IXFT30N50P Oferta
IXFT30N50P Najniższa cena
IXFT30N50P Szukaj
IXFT30N50P Nabywczy
IXFT30N50P Chip