Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
Numer części
IXFT20N100P
Producent/marka
Seria
HiPerFET™, PolarP2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268
Rozpraszanie mocy (maks.)
660W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
126nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7300pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 16512 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFT20N100P
IXFT20N100P Części elektroniczne
IXFT20N100P Obroty
IXFT20N100P Dostawca
IXFT20N100P Dystrybutor
IXFT20N100P Tabela danych
IXFT20N100P Zdjęcia
IXFT20N100P Cena
IXFT20N100P Oferta
IXFT20N100P Najniższa cena
IXFT20N100P Szukaj
IXFT20N100P Nabywczy
IXFT20N100P Chip